Produsen Bagian Nomor. : | SI7888DP-T1-GE3 | Status RoHs : | Memimpin bebas / RoHS Compliant |
---|---|---|---|
Pabrikan / Merek : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Kondisi stok : | 4952 pcs Stock |
Deskripsi : | MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 | Kirim Dari : | Hongkong |
Lembar data : | SI7888DP-T1-GE3.pdf | Cara pengiriman : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Bagian No. | SI7888DP-T1-GE3 |
---|---|
Pabrikan | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Deskripsi | MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 |
Memimpin Status Bebas / Status RoHS | Memimpin bebas / RoHS Compliant |
Jumlah yang tersedia | 4952 pcs |
Lembar data | SI7888DP-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Paket Perangkat pemasok | PowerPAK® SO-8 |
Seri | TrenchFET® |
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 12.4A, 10V |
Power Disipasi (Max) | 1.8W (Ta) |
Pengemasan | Tape & Reel (TR) |
Paket / Case | PowerPAK® SO-8 |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
mount Jenis | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status Gratis Memimpin / Status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 5V |
FET Jenis | N-Channel |
Fitur FET | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif) | 4.5V, 10V |
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss) | 30V |
Detil Deskripsi | N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta) |
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8