Produsen Bagian Nomor. : | SIS778DN-T1-GE3 | Status RoHs : | |
---|---|---|---|
Pabrikan / Merek : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Kondisi stok : | 435 pcs Stock |
Deskripsi : | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 | Kirim Dari : | Hongkong |
Lembar data : | SIS778DN-T1-GE3.pdf | Cara pengiriman : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Bagian No. | SIS778DN-T1-GE3 |
---|---|
Pabrikan | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Deskripsi | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 |
Memimpin Status Bebas / Status RoHS | |
Jumlah yang tersedia | 435 pcs |
Lembar data | SIS778DN-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Paket Perangkat pemasok | PowerPAK® 1212-8 |
Seri | - |
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
Power Disipasi (Max) | 52W (Tc) |
Pengemasan | Tape & Reel (TR) |
Paket / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Suhu Operasional | -50°C ~ 150°C (TJ) |
mount Jenis | Surface Mount |
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS | 1390pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.5nC @ 10V |
FET Jenis | N-Channel |
Fitur FET | Schottky Diode (Body) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif) | 4.5V, 10V |
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss) | 30V |
Detil Deskripsi | N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
MOSFET N-CH 60V 40A 1212
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212